【电子】存储：海力士三星美光指引乐观，周期底部拐点已现——半导体行业新周期系列报告之四（刘凯/于文龙）
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报告摘要
一、海力士
1）FY2023Q2（20230401-20230630）营收 73,060 亿韩元，QoQ+44%，YoY-47%；毛利 -11,780 亿韩元，QoQ+28%（亏损缩减），YoY-119%（转亏）；净利 -29,880 亿韩元，QoQ-16%（亏损扩大），YoY-204%（转亏）。
其中，DRAM 营收占比62%，QoQ+53%， 出货量环增30%+，ASP 环增接近10%。主要由于人工智能相关存储产品需求激增，DDR5和HBM的出货量同比增长2倍以上；NAND 营收占比30%，QoQ+31%，出货量环增约50%，ASP 环跌约10%。
2）指引：Q3 DRAM 出货量预期环增10%-15%，计划扩大HBM、DDR5、LPDDR5的销售；NAND出货量环平（由于高基数效应），计划扩大176层SSD产品销售。资本性支出计划2023年同比缩减至少50%。
3）HBM：Q2包括HBM在内的graphics DRAM销售占比超20%，HBM产能迅速扩张（上年Q4占比10%），主要由于AI引发的高端服务器需求迅速增长。
海力士为唯一量产HBM3的厂商，技术上实现了最高密度的12层堆叠。明年H1海力士将继续加强HBM3E的技术领导地位，上半年开始供应HBM3E，并计划在2026年转向HBM4。
二、三星
1）FY2023Q2（20230401-20230630）营收60.01万亿韩元，QoQ-6%，YoY-22%；毛利18.36万亿韩元，QoQ+3%，YoY-41%；归母净利1.55万亿韩元，QoQ+11%，YoY-86%。
其中，存储产品营收8.97万亿韩元，QoQ+1%，YoY-57%。DRAM 出货量环增15%左右，主要由于扩大了服务器产品的销售，以及DDR5、HBM的需求高增长，ASP环降5-10%；NAND 出货量环增5%左右，ASP环降5-10%，下降幅度显著降低（Q1降幅15-20%），主要由于其扩大先进制程的努力。
2）指引：Q3 DRAM 销售预计增长约15%；NAND 预计市场出货量增加5-10%，三星NAND出货量增长将略高于市场。2023H2随着库存调整结束预计需求将逐步复苏，三星将更加专注于销售高附加值的内存产品，扩展如DDR5、LPDDR5x和HBM3等先进制程产品。
3）HBM：作为HBM市场领导者之一，三星电子向主要客户提供HBM2与HBM2E产品；在HBM3中，三星正在接受客户资格认证，并计划在23H2推出HBM3E产品。三星计划在2024年将HBM产能提升至2023年2倍。
三、美光
1）FY2023Q3（对应实际时间：20230303-20230601）营收38亿美元，QoQ+2%，YoY-57%；毛利率-16%，QoQ+48%（亏损缩减）,YoY-134%（转亏）；净利-16亿美元，QoQ+25%（亏损缩减）,YoY-153%（转亏）。
其中，DRAM营收占比71%，收入QoQ-2%，出货量环增约10%，ASP环降约10%；NAND营收占比27%，收入QoQ+14%，出货量环增30%+，ASP环降约15%。
2）指引：Q3预计实现收入39±2亿美元，毛利率-10.5%±2.5%，营业费用8.45±0.15亿美元。
3）HBM：美光主要提供HBM2E产品，其HBM产品预计在24年初开始大规模生产，并在24年实现可观收入。
风险提示：商业化进展不及机遇期；技术突破不及预期。
发布日期：2023-07-30
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